SAMCO ICP 蝕刻設備 RIE-350iPC|塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司

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產(chǎn)品名稱：SAMCO ICP 蝕刻設備 RIE-350iPC
產(chǎn)品型號：
產(chǎn)品廠商：SAMCO薩姆肯
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簡單介紹：

RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設備，用于化合物半導體工藝的多片同時處理，在放電形式中采用電感耦合等離子體（工業(yè)堆疊 Plasma）

詳情介紹：

概述

RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設備，用于化合物半導體工藝的多片同時處理，在放電形式中采用電感耦合等離子體（工業(yè)堆疊 Plasma）。此設備支持 ±350mm 大型托盤。它配備了新的 ICP 源 HSTC?（海珀系統(tǒng)三元組）電極，該電極是傳統(tǒng)龍卷風 ICP 的開發(fā)，可在大面積上實現(xiàn)出色的均勻性蝕刻。

特點

? 支持 350mm 大托盤

可同時處理 3 個晶圓，× 4“×8 和 6”。

采用新的 ICP 源“HSTC?”

對于大面積，我們實現(xiàn)了出色的均勻性蝕刻。

應用示例

GaN 的垂直蝕刻和反向錐形蝕刻

?PSS （Patterned Sapphire Substrate）加工

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產(chǎn)品名稱：SAMCO ICP 蝕刻設備 RIE-350iPC

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