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  • 產(chǎn)品詳情
    • 產(chǎn)品名稱:日本大冢嵌入式膜厚儀FE-5000S

    • 產(chǎn)品型號(hào): FE-5000S
    • 產(chǎn)品廠商:OTSUKA大塚電子
    • 產(chǎn)品價(jià)格:0
    • 折扣價(jià)格:0
    • 產(chǎn)品文檔:
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    簡(jiǎn)單介紹:
    日本大冢嵌入式膜厚儀FE-5000S 日本大冢嵌入式膜厚儀FE-5000S日本大冢嵌入式膜厚儀FE-5000S
    詳情介紹:

    嵌入式膜厚儀FE-5000


    橢圓偏光儀FE-5000在高精度薄膜分析的光譜橢偏儀之上,增加安裝了測(cè)量角度可自動(dòng)變化裝置,可對(duì)應(yīng)所有種類的薄膜。在傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)分析儀法之上,通過(guò)安裝相位差板自動(dòng)分離裝置,提高了測(cè)量精度。

     

     

     

     

     

     

     

     

    產(chǎn)品信息

    特點(diǎn)

    • 可在紫外和可見(jiàn)(250至800nm)波長(zhǎng)區(qū)域中測(cè)量橢圓參數(shù)

    • 可分析納米級(jí)多層薄膜的厚度

    • 可以通過(guò)超過(guò)400ch的多通道光譜快速測(cè)量Ellipso光譜

    • 通過(guò)可變反射角測(cè)量,可詳細(xì)分析薄膜

    • 通過(guò)創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)和追加菜單注冊(cè)功能,增強(qiáng)操作便利性

    • 通過(guò)層膜貼合分析的光學(xué)常數(shù)測(cè)量可控制膜厚度/膜質(zhì)量

    測(cè)量項(xiàng)目

    • 測(cè)量橢圓參數(shù)(TANψ,COSΔ)

    • 光學(xué)常數(shù)(n:折射率,k:消光系數(shù))分析

    • 薄膜厚度分析

    用途

    • 半導(dǎo)體晶圓
      柵氧化膜,氮化膜
      SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN
      光學(xué)常數(shù)(波長(zhǎng)色散)

    • 復(fù)合半導(dǎo)體
      AlxGa(1-x)多層膜、非晶硅

    • FPD
      取向膜
      等離子顯示器用ITO、MgO等

    • 各種新材料
      DLC(類金剛石碳)、超導(dǎo)薄膜、磁頭薄膜

    • 光學(xué)薄膜
      TiO2,SiO2多層膜、防反射膜、反射膜

    • 光刻領(lǐng)域
      g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)和KrF(248nm)等波長(zhǎng)的n、k評(píng)估

     原理

     包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上,對(duì)于反射光的橢圓偏振光進(jìn)行測(cè)量。s波和p波的位相和振幅獨(dú)立變化,可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù),即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。

    產(chǎn)品規(guī)格

    型號(hào) FE-5000S FE-5000
    測(cè)量樣品 反射測(cè)量樣品
    樣品尺寸 100x100毫米 200x200毫米
    測(cè)量方法 旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1
    測(cè)量膜厚范圍(ND) 0.1納米-
    入射(反射)的角度范圍 45至90° 45至90°
    入射(反射)的角度驅(qū)動(dòng)方式 自動(dòng)標(biāo)志桿驅(qū)動(dòng)方法
    入射點(diǎn)直徑*2 關(guān)于φ2.0 關(guān)于φ1.2sup*3
    tanψ測(cè)量精度 ±0.01以下
    cosΔ測(cè)量精度 ±0.01以下
    薄膜厚度的可重復(fù)性 0.01%以下*4
    測(cè)定波長(zhǎng)范圍*5 300至800納米 250至800納米
    光譜檢測(cè)器 多色儀(PDA,CCD)
    測(cè)量用光源 高穩(wěn)定性氙燈*6
    平臺(tái)驅(qū)動(dòng)方式 手動(dòng) 手動(dòng)/自動(dòng)
    裝載機(jī)兼容 不可
    尺寸,重量 650(W)×400(D)×560(H)mm
         約50公斤
    1300(W)×900(D)×1750(H)mm
         約350公斤*7
    軟件
    分析 *小二乘薄膜分析(折射率模型函數(shù),Cauchy色散方程模型方程,nk-Cauchy色散模型分析等)
         理論方程分析(體表面nk分析,角度依賴同時(shí)分析)

    *1可以驅(qū)動(dòng)偏振器,可以分離不感帶有效的位相板。
    *2取決于短軸?角度。
    *3對(duì)應(yīng)微小點(diǎn)(可選)
    *4它是使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜(100nm)時(shí)的值。
    *5可以在此波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。
    *6光源因測(cè)量波長(zhǎng)而異。
    *7選擇自動(dòng)平臺(tái)時(shí)的值。

    測(cè)量示例

    以梯度模型分析ITO結(jié)構(gòu)[FE-0006]

    作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO(氧化銦錫),在成膜后的退火處理(熱處理)可改善其導(dǎo)電性和色調(diào)。此時(shí),氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化,但是這種變化相對(duì)于膜的厚度是逐漸變化的,不能將其視為具有光學(xué)均勻組成的單層膜。
    以下介紹對(duì)于這種類型的ITO,通過(guò)使用梯度模型,從上界面和下界面的nk測(cè)量斜率。

     FE5_m_01.jpg

    FE5_m_02.jpg

    考慮到表面粗糙度測(cè)量膜厚度值[FE-0008]

    當(dāng)樣品表面存在粗糙度(Roughness)時(shí),將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測(cè)量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。

     APP8-1.jpg

    APP8-2.jpg

    使用非干涉層模型測(cè)量封裝的有機(jī)EL材料[FE-0011]

    有機(jī)EL材料易受氧氣和水分的影響,并且在正常大氣條件下它們可能會(huì)發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過(guò)玻璃測(cè)量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

     APP11-1.jpg

    APP11-2.jpg

    使用多點(diǎn)相同分析測(cè)量未知的超薄nk[FE-0014]

    為了通過(guò)擬合*小二乘法來(lái)分析膜厚度值(d)需要材料nk。如果nk未知,則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而,在d為100nm或更小的超薄膜的情況下,d和nk是無(wú)法分離的,因此精度將降低并且將無(wú)法求出**的d。在這種情況下,測(cè)量不同d的多個(gè)樣本,假設(shè)nk是相同的,并進(jìn)行同時(shí)分析(多點(diǎn)相同分析),則可以高精度、**地求出nk和d。

    APP14-1.jpg

    APP14-2.jpg


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