總代GD-Profiler 2?輝光放電光譜儀HORIBA堀場

用輝光放電光譜儀去發(fā)現(xiàn)一個嶄新的信息世界

GD-Profiler 2? 可以快速、同時分析所有感興趣的元素，包括氣體元素N、O、H和Cl，是薄膜和厚膜表征和工藝研究的理想工具。

GD-Profiler 2? 配備的射頻源可在脈沖模式下對易碎樣品進行測試，廣泛應用于高校以及工業(yè)研究實驗室，其應用范圍有腐蝕研究、PVD 涂層工藝控制、PV 薄膜開發(fā)以及LED 質(zhì)量控制等。

• 射頻發(fā)生器是 E 類標準，對穩(wěn)定性和濺射坑形狀都進行了優(yōu)化以滿足實時表面分析。

• 射頻源可以分析傳統(tǒng)和非傳統(tǒng)鍍層和材料，對于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優(yōu)化測試。

• 從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

• HORIBA 研發(fā)的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學效率和靈敏度都表現(xiàn)優(yōu)良。

• HDD 探測器兼具檢測速度和靈敏度。

• 內(nèi)置的微分干涉儀DIP可實時測量濺射坑深度和剝蝕速率。

• 寬敞簡潔的大樣品倉易于裝卸樣品，操作簡單。

• QUANTUM? 軟件配置了Tabler 報告編寫工具。

• **激光中心定位裝置（**號：Fr0107986/國際**種類：G01N 21/67）可定位樣品測試位置。

 HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實現(xiàn)n+1元素通道的同時也提高了設備的靈活性。

• 輝光源結合超快速、高分辨的同步光學器件，可對導體、非導體和復合材料進行快速元素深度剖析。

• 適用于薄膜和厚膜——從納米到數(shù)百微米，且具有納米級深度分辨率。

• 典型應用領域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機和微電子、材料研發(fā)、沉積工藝優(yōu)化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。

• 不需要超高真空。

• 使用高動態(tài)探測器可以測量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

• 可選附件單色儀配備的也是高動態(tài)探測器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設備的靈活性。

• 脈沖式射頻源，可選擇在常規(guī)射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動匹配。

• 輝光源采用差速雙泵真空系統(tǒng)，可為SEM制備樣品。

• 內(nèi)置等離子清洗功能。

• 超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機材料。

• 內(nèi)置的微分干涉儀DIP，可直接在線測定深度。

• 用于異形樣品測試的各種銅陽極和附件。

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