OTSUKA大塚電子橢圓偏振光譜儀代理 OTSUKA大塚電子塔瑪薩崎電子（蘇州）有限公司 FE-5000S除了可實(shí)現(xiàn)高精度薄膜分析的橢圓偏振光譜外， FE-5000S還可以通過(guò)實(shí)施自動(dòng)可變測(cè)量角度機(jī)制來(lái)處理所有類(lèi)型的薄膜。 除了傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)分析儀方法外，通過(guò)安裝自動(dòng)延遲板分離機(jī)構(gòu)提高了測(cè)量精度。

塔瑪薩崎電子代理OTSUKA大塚電子  FE-5000S

• 半導(dǎo)體晶片
  柵極氧化薄膜、氮化物薄膜
  SiO₂，Si x Oy，SiN，SiON，SiNx，Al₂O₃罪_xO_y，多晶硅，硒化鋅，BPSG，TiN
  光刻膠光學(xué)常數(shù)（波長(zhǎng)色散）
• 化合物半導(dǎo)體
  鋁_x加語(yǔ)_（1-x）作為多層，非晶硅
• FPD
  取向膜
• 各種新材料
  DLC（類(lèi)金剛石碳）、超導(dǎo)薄膜、磁頭薄膜
• 光學(xué)薄膜
  TiO₂，SiO₂，防反射膜
• 在 G 線(xiàn) （436nm）、H 線(xiàn) （405nm） 和 I 線(xiàn) （365nm）
  等波長(zhǎng)下進(jìn)行光刻 N，K 評(píng)估

• 橢圓參數(shù) （tanψ， cosΔ） 測(cè)量
• 光學(xué)常數(shù)（n：折射率，k：消光系數(shù)）分析
• 膜厚分析

• 型	FE-5000S	FE-5000
  樣本量	*大 100x100mm	*大 200x200mm
  測(cè)量方法	旋轉(zhuǎn)分析儀法*1
  測(cè)量膜厚度范圍（nd）	0.1納米~1微米
  入射（反射）角度范圍	45~90°	45~90°
  入射（反射）角度驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)	自動(dòng)標(biāo)志桿驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
  入射光斑直徑*2	φ2.0	φ1.2蘇普*3
  tanψ 測(cè)量精度	±0.01以下
  cosΔ 測(cè)量精度	±0.01以下
  薄膜厚度的可重復(fù)性	0.01%以下*4
  波長(zhǎng)范圍*5	300~800nm	300~800nm
  測(cè)量光源	高穩(wěn)定性氙氣燈*6
  舞臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)	手動(dòng)	手動(dòng)/自動(dòng)
  裝載機(jī)支持	壞	差強(qiáng)人意
  尺寸、重量	650（寬）×400（深）×593（高）毫米 50公斤	1300（寬）×890（深）×1750（高）毫米 350公斤*7

  *1 可以驅(qū)動(dòng)偏光片，可以安裝和拆卸對(duì)盲區(qū)有效的減速板。
  *2 因短軸和角度而異。
  *3 微光斑支持（可選） *4 此值是使用 VLSI 標(biāo)準(zhǔn) SiO2 薄膜 （100 nm）
  時(shí)的值。
  *5 選擇自動(dòng)階段時(shí)的值。