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    • 產(chǎn)品詳情

    • 產(chǎn)品名稱：日本DNK科研曝光機(jī)MX-1201光刻機(jī)

    • 產(chǎn)品型號(hào)： MX-1201
    • 產(chǎn)品廠商：DNK 科研
    • 產(chǎn)品價(jià)格：0
    • 折扣價(jià)格：0
    • 產(chǎn)品文檔：
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    簡(jiǎn)單介紹：
    主要特長 能夠用于研究開發(fā)、試作、小批量生產(chǎn)等的直描曝光。 能夠?qū)?yīng)半導(dǎo)體、電子零件、優(yōu)異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發(fā)成本和縮短市場(chǎng)供應(yīng)時(shí)間。 此外,還可以根據(jù)客戶需求,提供相應(yīng)的裝置構(gòu)造。
    詳情介紹：

    光刻機(jī)介紹

    曝光裝置  MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″ 

    光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW

    曝光裝置 MA-1400  基板追大尺寸400 x 400mm

    光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW

    LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

    光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW

    ?200mm/?150 mm 對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-4301M   材料SI 玻璃， 對(duì)齊精度自動(dòng)對(duì)齊：+/- 1 μm（
    峰值搜索）

    ?300mm對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-5301ML  光源超高壓汞燈：3.5kW  ?200mm規(guī)格也可對(duì)應(yīng)

    マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s  有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
    マスクレス露光裝置MX-1201E  曝光掃描速度22.5mm/s  有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

    マスクレス露光裝置MX-1205  曝光掃描速度9/4.5mm/s  有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

    主要規(guī)格

    型式 MX-1201 MX-1201E MX-1205
    *小線幅 (※1) [μm] 5 3 2 1
    數(shù)據(jù)分辨率 [μm] 0.488 0.25 0.1 0.05
    *大基板尺寸 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
    有效曝光范圍 [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
    激光主波長 [nm] 405 375 405 + 375 405 375 375
    曝光掃描速度 [mm/s] 43.94 22.5 9 4.5
    節(jié)拍時(shí)間 [s,min] 180 [s] 320 [s] 16 [min] 27 [min]
    *大曝光量 [mJ/c㎡] 245 70 245 + 70 460 135 50 100

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