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    • 產(chǎn)品詳情

    • 產(chǎn)品名稱(chēng)：日本大冢分光干渉式晶圓膜厚儀

    • 產(chǎn)品型號(hào)：SF-3
    • 產(chǎn)品廠(chǎng)商：OTSUKA大塚電子
    • 產(chǎn)品價(jià)格：0
    • 折扣價(jià)格：0
    • 產(chǎn)品文檔：
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    簡(jiǎn)單介紹：
    日本大冢分光干渉式晶圓膜厚儀SF-3 日本大冢分光干渉式晶圓膜厚儀SF-3 日本大冢分光干渉式晶圓膜厚儀SF-3
    詳情介紹：

    分光干渉式晶圓膜厚儀 SF-3

    即時(shí)檢測(cè)
    WAFER基板于研磨制程中的膜厚
    玻璃基板于減薄制程中的厚度變化
    (強(qiáng)酸環(huán)境中)


    產(chǎn)品特色

    非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測(cè)
    采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測(cè)再現(xiàn)性
    可進(jìn)行高速的即時(shí)研磨檢測(cè)
    可穿越保護(hù)膜、觀景窗等中間層的檢測(cè)
    可對(duì)應(yīng)長(zhǎng)工作距離、且容易安裝于產(chǎn)線(xiàn)或者設(shè)備中
    體積小、省空間、設(shè)備安裝簡(jiǎn)易
    可對(duì)應(yīng)線(xiàn)上檢測(cè)的外部信號(hào)觸發(fā)需求
    采用*適合膜厚檢測(cè)的獨(dú)自解析演算法。(已取得**)
    可自動(dòng)進(jìn)行膜厚分布制圖(選配項(xiàng)目)

    規(guī)格式樣


    SF-3

    膜厚測(cè)量范圍

    0.1 μm ~ 1600 μm※1

    膜厚精度

    ±0.1% 以下

    重復(fù)精度

    0.001% 以下

    測(cè)量時(shí)間

    10msec 以下

    測(cè)量光源

    半導(dǎo)體光源

    測(cè)量口徑

    Φ27μm※2

    WD

    3 mm ~ 200 mm

    測(cè)量時(shí)間

    10msec 以下

    ※1 隨光譜儀種類(lèi)不同,厚度測(cè)量范圍不同
    ※2 *小Φ6μm

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